Imán más delgado del mundo promete transformar tecnología de la memoria RAM

Un equipo internacional de científicos del Instituto de Nanociencia y Materiales de Aragón (INMA), ha logrado crear el primer imán duro de espesor atómico, el más delgado que existente hasta la fecha, avance que representa un salto cuántico en la miniaturización de estos imanes y tiene el potencial de revolucionar la tecnología de la memoria RAM en los ordenadores.

Este logro es el resultado de siete años de investigación y es un claro avance en los campos de investigación transversales del magnetismo y la ciencia de superficies. La comunidad científica busca este objetivo durante más de dos décadas.

Uno de los autores del INMA y del Laboratorio de Microscopías Avanzadas (LMA) de la Universidad de Zaragoza, Jorge Lobo Checa, explica: “Hemos logrado generar una red donde los átomos están separados entre sí a una distancia fija y que presentan una dirección de magnetización perpendicular a esta red, a través de una combinación de moléculas y átomos de hierro”.

En este sentido, los imanes duros son materiales ferromagnéticos que mantienen su magnetización incluso en ausencia de un campo magnético externo. A diferencia de los imanes blandos, que pierden su magnetización fácilmente, los imanes duros son extremadamente resistentes a la desmagnetización. Este nuevo imán duro de espesor atómico mantiene estas propiedades, a pesar de su tamaño diminuto.

Este avance abre nuevas posibilidades para el desarrollo de dispositivos tecnológicos que requieren un campo magnético definido. En particular, la memoria RAM de los ordenadores, que se basa en el almacenamiento y la recuperación rápida de información, podría beneficiarse enormemente de este descubrimiento. Con la capacidad de almacenar datos en imanes de espesor atómico, la densidad de información que se puede almacenar en un espacio dado podría aumentar exponencialmente.

Este descubrimiento, publicado en la revista Nature Communications, marca un hito en la ciencia de los materiales y promete transformar la tecnología de la memoria RAM en los próximos años.

Fuente: Agencia Sinc

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